Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GBLTU160N02)
4 ГБ · 1600 МГц · 1 · 1,5 В
Є в наявності
відправимо28–30 жовт.
648 ₴
| Цей · 648 ₴ | Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GBLTU160N02)648 ₴ | Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451U6BFR8C-PB)595 ₴ | |
|---|---|---|---|
| Об'єм пам'яті | 4 ГБ | 4 ГБ | 4 ГБ |
| Частота пам'яті | 1600 МГц | 1600 МГц | 1600 МГц |
| Кількість модулів у наборі | 1 | 1 | 1 |
| Таймінги | CL11 | CL11 | CL11 |
| Напруга живлення | 1,35 В | 1,5 В | 1,5 В |
| Отримати | забрати у четвер або пізніше | забрати у четвер або пізніше | забрати у четвер або пізніше |
Модуль пам'яті DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02) працює з тактовою частотою 1600 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 12800 МБ / с. DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
Модуль пам'яті DR3 4GB 1600 MHz Silicon Power має параметр CL11, що означає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Переваги в порівнянні з DDR2: більш висока пропускна здатність - понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.