Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 64GB (2x32GB) 5600 MHz FURY Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-64)

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 64GB (2x32GB) 5600 MHz FURY Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-64) — фото 2

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 64GB (2x32GB) 5600 MHz FURY Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-64) — фото 3

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 64GB (2x32GB) 5600 MHz FURY Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-64) — фото 4

Кількість модулів у наборі2 Об'єм пам'яті64 ГБ Частота пам'яті5600 МГц Форм-фактор пам'ятіSO-DIMM Напруга живлення1,1 В БуферизаціяНебуферизована

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 64GB (2x32GB) 5600 MHz FURY Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-64)

Name: Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 64GB (2x32GB) 5600 MHz FURY Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-64)
Brand: Kingston Fury (ex.HyperX)
SKU: 523481
Price: 67164.00 UAH
Availability: InStock

Арт. KF556S40IBK2-64

67 164 ₴

Є в наявності

Оформити

Швидке замовлення— передзвонимо

Коли отримаю

30жовт Відправимо у пʼятницю Кривий Ріг і вся Україна

Самовивіз з магазинупн–пт 10–18, сб 10–14 у суботубезкоштовно
Нова поштавідділення або поштомат відправимо у пʼятницювід 80 ₴
Курʼєр Нової поштидо дверей відправимо у пʼятницювід 120 ₴
Курʼєр по Кривому Рогувід 100 ₴

Гарантія 99 міс.
Обмін і повернення 14 днів
Оплата при отриманні
Безготівка для компаній

Чим відрізняється від сусідів у ціні

±15 % від ціни, у наявності

	Цей · 67 164 ₴	Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 64GB (2x32GB) 5600 MHz FURY Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-64)63 066 ₴	Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 96GB (2x48GB) 5600 MHz Crucial (CT2K48G56C46S5)58 812 ₴
Кількість модулів у наборі	2	2 шт	2
Об'єм пам'яті	64 ГБ	64 ГБ	96 ГБ
Частота пам'яті	5600 МГц	5600 МГц	5600 МГц
Форм-фактор пам'яті	SO-DIMM	SO-DIMM	SO-DIMM
Напруга живлення	1,1 В	1,1 В	1,1 В
Буферизація	Небуферизована	—	Небуферизована
Отримати	забрати у суботу або пізніше	забрати у четвер або пізніше	забрати у четвер або пізніше

Характеристики

Кількість модулів у наборі2

Об'єм пам'яті64 ГБ

Частота пам'яті5600 МГц

Форм-фактор пам'ятіSO-DIMM

Напруга живлення1,1 В

БуферизаціяНебуферизована

Стандарти пам'ятіDDR5-5600

(Збірка) Висота модуля пам'ятістандарт

(Збірка) Споживча потужність5 Вт

Перевірка і корекція помилок (ECC)ні

Тип пам'ятіDDR5

ТаймінгиCL40-40-40

Охолодженнянемає

ПриміткаОЕМ-версія , Без оформлення

Код виробникаKF556S40IBK2-64

Штрихкод (EAN)0740617331646

Опис

З чудовою швидкістю, функцією Plug N Play, подвоєною з 16 до 32 кількістю банків і подвоєною з 8 до 16 довжиною пакета Kingston FURY Impact DDR5 ідеально підходить для геймерів і ентузіастів, яким потрібна вища продуктивність на платформах наступного покоління.

Збільшуючи швидкість, місткість і надійність, Kingston FURY Impact DDR5 пропонує цілий арсенал розширених функцій, як-от ECC на кристалі (ODECC) для підвищення стабільності на екстремальних швидкостях, два 32-бітові підканали для підвищення ефективності та інтегрована в модуль схема керування живленням (PMIC), яка забезпечує контроль і підстроювання напруг безпосередньо на модулі пам'яті. Під час гри в найекстремальніших умовах, під час стрімінгу у форматі 4K і вище або під час серйозної анімації та 3D-рендерінгу, Kingston FURY Impact DDR5 - це наступне підвищення рівня, під час якого ідеально поєднуються стиль і продуктивність.

Крім того, Kingston FURY Impact DDR5 отримала сертифікат Intel XMP 3.0 і Certified, що означає, що користувачі можуть розраховувати на простий, стабільний і сертифікований розгін.

Особливості:

Вища продуктивність: Пам'ять DDR5 на 50% швидша, ніж DDR4, що додає продуктивності в іграх, рендері та багатозадачних середовищах.
Підтримка технології автоматичного розгону Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 підтримує автоматичний розгін до максимальної частоти, зазначеної в специфікаціях.
Сертифікація Intel XMP 3.0: Підвищення продуктивності пам'яті з попередньо оптимізованими таймінгами, швидкістю і напругою живлення для розгону.
Нижче енергоспоживання, вища ефективність: Зниження тепловиділення і підвищення ефективності системи завдяки низькій напрузі живлення пам'яті Impact DDR5 1.1 В.
Підвищена стабільність під час розгону: Корекція помилок на кристалі (On-die ECC, ODECC) допомагає забезпечити цілісність даних під час розгону пам'яті для підвищення її продуктивності.